RF용3-10G 1100nm-1650nm InGaAs 동축 피그테일형 PIN 포토다이오드
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RF용3
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광학적 및 전기적 특성
파라미터 | 기호 | 최소 | 평균 | 최대 | 단위 | 시험조건 |
탐지거리 | λ | 1100 | - | 1650 | nm | |
암전류 | Id | - | 0.1 | 1 | nA | VR=5V ,25° |
양자효율 | R | 0.85 | 0.9 | - | A/W | VR=5V ,λ=1310 nm |
포화출력 | P | - | - | 6 | dBm | VR=5V , |
상승 및 하강시간 | Tr/Tf | - | 0.1 | - | ns | RL=50 Ω |
정전용량 | Ct | - | - | 0.75 | pF | VR=5 |
반사손실 | R | - | - | -45 | dB | 45~860MHz |
CSO | - | 60 | - | - | dB | 45~860MHz |
CTB | - | 65 | - | - | dB | 45~860MHz |
관련제품명
L CATV 용 레이저 디텍터 | 긴수명 감광성 다이오드 | 저손실 포토다이오드
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