APD/애벌랜치 포토다이오드(OTDR용 3G InGaAs 펄스형APD 다이오드)

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APD/애벌랜치 포토다이오드(OTDR용 3G InGaAs 펄스형APD 다이오드)

APD/애벌랜치 포토다이오드(OTDR용 3G InGaAs 펄스형APD 다이오드)는 실리콘 또는 게르마늄의 pn 접합에 의하여 만들어진 광검출기입니다. pn 접합에 역방향 바이어스 전압을 가하는것을 통해 pn 접합에 입사한 빛에 의하여 발생한 전자와 전계에 의하여 광전류흐름이 생깁니다. pn 접합시 역방향 전압이 증가하면서 사태전류 즉 애벌란시 전류가 생깁니다. 전류 캐리어의 애벌란시 효과는 감지시스템의 광신호를 증폭하는데 사용되어 검출기의 감도를 향상시킬수 있습니다.

본 시리즈의 광다이오드(photodiode)는 동작전압이 낮고 , 고감도, 암전류가 적으며 펄스형 출력모드 또는DC 출력모드로 동작할수 있습니다. 본 소자는 일반적으로 원거리 전송시스템, OTDR 시스템, 라만 후방산란 시스템용 검출기등에 사용됩니다.

OTDR용 3G InGaAs 펄스형APD 다이오드
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광학적 및 전기적 특성

파라미터	기호	최소	평균	최대	단위	비고
역방향 브레이크다운 전압	VBR	50	70	100	V	ID = 100 μA
역방향 브레이크다운 전압의 온도계수	δ		0.2		%/°C
암전류	ID		5	25	nA	VR = VBR x 0.9
암전류 증배	IDM		1	5	nA	M = 2 to 10
단자 정전용량	Ct		0.35	0.60	pF	VR = VBR x 0.9, f = 1 MHz
차단 주파수	fC	2.5			GHz	M = 10
양자 효율	η	76	90		%	λ = 1310 nm, M = 1
양자 효율	η	65	77		%	λ = 1550 nm, M = 1
반응도	S	0.80	0.94		A/W	λ = 1310 nm, M = 1
반응도	S	0.81	0.96		A/W	λ = 1550 nm, M = 1
증배율	M	30	40		M	λ = 1310 nm, IPO = 1.0 μA , VR = V (at ID = 1 μA )
과잉잡음 요소	X		0.7		-	λ = 1310 nm, IPO = 1.0 μA , M = 10, f = 35 MHz, B = 1 MHz
과잉잡음 요소	F		5		-	λ = 1550 nm, IPO = 1.0 μA , M = 10, f = 35 MHz, B = 1 MHz
광반사 손실	ORL	30			dB